岗位描述
岗位职责
1. 开发能提升SiC芯片TC、HV-H3TRB、HTRB可靠性的膜层材料;
2. 负责SiO₂、SiNx、Poly等薄膜在介质层/绝缘层/钝化层等方面的工艺开发和导入评估 ,根据产品开发要求,设计和开发新的薄膜材料、镀膜方式等路线满足产品性能指标 ;
3. 依据器件性能指标,制定薄膜性能卡控标准,建立SiO₂、SiNx、Poly等薄膜性能监控和评价体系;
4. 完成公司和部门安排的其它任务。
岗位要求
1. 学历专业:硕士及以上学历,微电子、集成电路、电子科学与技术、固体物理、材料物理、无机材料、晶体材料、科学与工程等相关专业;
2. 工作经验:3年以上CVD和非金属薄膜材料开发经验,或者应届博士,有SiC经验者优先;
3. 知识技能:对芯片内部材料比较了解,能指出设计和材料工艺改善方向;
4. 素质:具备良好的组织、沟通和协作能力,具备良好的英语听说读写能力。