新型半导体材料研发工程师

工作内容
1、负责新型半导体材料（如碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化镓Ga2O3或金刚石半导体等）的外延生长或晶体生长工艺开发。
2、负责半导体器件（如肖特基二极管SBD、MOSFET、HEMT等）的制造工艺流程开发，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等。
3、监控并分析工艺数据，解决生产与研发过程中的良率异常，持续优化工艺参数以提升器件性能与可靠性。
4、负责新型半导体材料与器件的电学特性测试与分析（如I-V特性、C-V特性、击穿电压等）；
5、跟踪国内外新型半导体领域的前沿技术动态，参与新项目立项、技术路线图规划及专利撰写。

任职条件
1、微电子学、半导体物理、材料科学、电子信息等相关专业，硕士及以上学历。
2、熟悉半导体制造全流程，具备MOCVD、MBE外延设备或光刻机、刻蚀机等半导体工艺设备的实操经验。
3、熟练使用TCAD等半导体器件仿真软件及Origin、LabVIEW等数据处理与测试工具。
4、具备扎实的半导体物理理论基础，熟悉宽禁带半导体材料的物理特性及器件可靠性机制。
5、具备较强的逻辑分析能力、跨部门沟通能力及抗压能力，有量产线导入经验或承担过国家级/省级半导体科研项目者优先。