内存器件工程师（DRAM / 内存模组方向）

岗位职责
1、研究 DRAM 与 DDR 内存条相关技术：DDR4/DDR5 时序与接口、模组硬件设计（走线拓扑、SI/PI、SPD、PMIC）、内存测试算法、SLT 筛选和质量分级、主控内存控制器技术等。
2、定位并解决各类内存故障：训练失败、CE/UE 报错、掉道、重启等，从系统日志一路查到器件级信号与误码，协调颗粒厂、模组厂联合调试，输出根因与纠正措施并形成闭环。
3、优化内存测试与筛选方案：功能、系统级（SLT）、老化与温度电压裕量测试，用一次通过率与漏检、过杀数据改进测试覆盖与筛选成本。
4、与产品线、采购、质量、制造等跨部门协作，支持样品验证到量产导入。
任职要求
1、电子、微电子、集成电路、计算机等相关专业本科及以上学历。
2、5 年以上 DRAM、内存模组或服务器内存方向的研发、测试或器件工程经验。
3、熟悉 DDR4/DDR5 JEDEC 规范与关键时序、训练校准流程；了解内存条硬件设计与 SI/PI 基本分析方法。
4、熟悉内存测试算法，熟悉SLT内存筛选和质量分级手段，掌握常用的压力测试工具。
5、具备独立定位复杂问题的能力，以及跨部门沟通协作能力。
6、具备国产 DRAM 颗粒适配与验证经验，或SO-DIMM、RDIMM 模组设计或量产导入经验的优先。