岗位描述
岗位职责
1.针对3D NAND新技术开发可靠性测试方法,设计可靠性测试结构
2.研究存储整列、栅氧化层、MOS器件、金属互连等关键制程的可靠性问题
3.执行可靠性验证、评估和监控,评估工程变更和工程异常带来的可靠性风险
岗位要求
学历要求:硕士及以上学历
专业要求:微电子/物理/材料等理工科专业
其它要求:
1.具备较强的半导体器件物理或非挥发存储器的基础知识
2.良好的英语听说读写能力(CET4及以上,CET6优先考虑)
3.较强的逻辑思维能力、学习能力、分析解决问题能力及抗压能力
4.具备较强的科学研究以及创新能力
5.积极主动,稳重踏实,工作严谨,责任心强