锦鲤求职岗位描述
岗位职责
1.光刻工艺研究与节点开发： 主导光刻工艺（涵盖DUV光刻、多重曝光、光刻胶优化、套刻精度控制）的研发，推进工艺节点开发并达成技术目标；
2.新材料、新设备与新工艺探索： 评估并引入新材料、新设备和新工艺，持续提升光刻工艺的分辨率、良率和工艺稳定性；
3.光刻仿真与数据分析： 进行光刻仿真（如OPC、SMO），使用JMP、MATLAB或Python等工具完成实验数据分析，优化工艺参数窗口；
4.研发项目管理与技术路线制定： 主导光刻工艺研发项目，制定技术路线图，确保关键节点按期交付并达成项目目标；
5.跨部门协作与技术量产转移： 与设备、整合、制程、良率等团队紧密协作，推动光刻技术从研发向量产的平稳落地；
6.缺陷分析与技术方案产出： 深入分析光刻制程中的缺陷、套刻误差及CD均匀性问题，提出并验证系统性技术解决方案；
7.实验设计（DOE）方法建立： 建立并推广DOE方法论，系统提升工艺窗口，提高工艺容差与产品鲁棒性；
8.团队管理与技术沉淀： 管理光刻研发团队，制定人员发展计划并培养核心技术人员，主导技术专利与论文撰写，参与行业技术交流。
岗位要求
1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、物理、化学、材料科学或光学工程等相关专业，具备扎实的半导体器件物理与光刻理论功底；
2.专业技能与资格：能使用JMP、MATLAB或Python完成SPC及CD-SEM数据分析，具备PMP或敏捷开发项目管理资质者优先，能流利阅读并撰写英文技术文档和专利；
3.行业与专业经验：8年以上半导体光刻研发工作经验，熟悉半导体制造全流程（FEOL/BEOL），其中具备3年以上光刻工艺研发团队管理经验，精通光刻工艺核心指标（如NA、DOF、EL、LWR），熟悉ASML、Nikon、Canon光刻设备及KLA、Hitachi配套检测设备，具备光刻胶、抗反射层（BARC）及显影工艺优化实战经验；
4.项目/任务成果：主导过至少3个光刻工艺从研发到量产的技术项目，独立解决过套刻精度、CD均匀性或良率相关的系统性难题；
5.其他要求：具有创新思维与技术敏锐度，能将研发成果转化为量产技术，具备出色的跨部门沟通与项目管理能力，能有效激励团队并推动多方协作达成技术共识。