锦鲤求职

长鑫存储

器件研发(技术联培生)(J21028)

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岗位描述

岗位职责
岗位定位:针对工艺、工艺整合、器件三个核心方向,面向应届毕业生设立的高潜人才专项计划,将在入职后在以上三个方向进行轮岗培养,最终定岗方向结合个人发展意愿、能力特质与公司业务需求等综合确定。
您将获得:主导或参与至少1个跨模块综合技术改进项目(如良率提升专项、工艺流程优化专项、新器件开发专项),承担项目子课题负责人角色;独立完成各轮岗阶段的技术总结报告与汇报,接受导师团队(由工艺、整合、器件方向资深专家组成)的阶段性考核与反馈。

1. 逻辑器件开发:完成DRAM逻辑器件设计及工艺开发,确保器件性能满足设计规格;
2. 核心区器件优化:完成DRAM核心区器件设计及优化,提升存储密度与电性表现;
3. TCAD仿真分析:执行制程工艺TCAD仿真,为工艺参数优化和器件结构设计提供支撑;
4. 器件工艺开发:推进器件工艺开发,实现工艺整合与关键模块的稳定性;
5. 可靠性评估改进:实施先进DRAM可靠性评估与改进,保障器件长期工作稳定性。

岗位要求
1. 学历要求:博士;
2. 专业要求:微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、计算机等理工科专业;
3. 其他要求:
• 具有英语能力,能使用英语完成听说读写,通过CET-6;
• 具有半导体存储相关课题研究或相关专利经验,能独立完成器件设计与工艺开发任务;
• 具有学习能力与团队合作意识,能在跨部门协作中承受工作压力。

其他生产制造职位方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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