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长鑫存储

DRAM设计验证工程师-DRAM Design Verification Engineer(J15494)

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岗位描述

岗位职责
1. 全芯片与模块级验证:主导芯片全层级及模块级电路设计验证,确保设计功能与时序符合规格要求;
2. 验证平台搭建:开发验证平台,包括测试环境构建与回归测试系统建设,推动验证效率与覆盖率的持续提升;
3. 行为模型与检查器开发:基于存储器架构与功能,开发行为模型、断言、检查器及监视器,强化验证的可观测性;
4. 测试规划与覆盖率分析:制定测试计划并验证设计功能,运行覆盖率和回归测试,分析覆盖率缺口并制定多样化策略填补漏洞;
5. 设计调试支持:为设计团队提供电路调试支持,推动问题定位与解决。

岗位要求
1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、集成电路或相关专业毕业,具备CMOS电路设计的基础知识;
2. 专业技能与资格:能使用Spectre、finesim、Virtuoso、Verilog等EDA工具完成电路仿真与验证,能使用UVM、SystemVerilog、VPI/PLI及断言编码进行功能验证;
3. 行业与专业经验:具备LPDDR4 DRAM产品验证经验者优先;
4. 项目/任务成果:主导或深度参与过至少一款存储器芯片的全芯片或模块级验证工作,包括验证平台搭建与覆盖率收敛;
5. 其他要求:具有良好的团队协作与沟通能力,学习能力强,能在灵活、动态的环境中保持自驱力。

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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