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长鑫存储

DRAM产品研发工程师(良率提升) -DRAM Product Development Engineer (yield improvement)(J17283)

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岗位描述

岗位职责
1.研发新产品FT导入;
2.研发新产品的FT array测试和speed性能测试;
3.研发阶段的FT良率监控,数据分析,不良样品的电性分析和良率改善;
4.研发阶段的产品FT测试覆盖率的提升;
5.研发新产品的FT测试程式维护。

岗位要求
1.本科以上, 自动化、通信工程、电子信息、计算机及相关专业;
2.具有半导体或芯片相关的电路设计,测试开发与产品验证经历;
3.3年以上工作经验优先,有DRAM/Flash/eMMC/UFS/PCIE/MIPI/AXI/复杂通讯协议等电路设计或测试经验者优先;
4.熟悉半导体测试系统,熟悉Advantest T550HS使用方法与原理优先;
5.了解DRAM存储器基本原理,熟悉半导体元件与IC制造生产测试流程优先;
6.具有良好的电路基础,具备一定的C语言或汇编语言编程能力;
7.具备良好的团队合作、逻辑推理、沟通、报告和工程实验设计等能力;
8.具有较好的工作主动性、团队合作、良好的创新创业精神。

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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