超高压碳化硅功率芯片研发

【岗位职责】
1.负责新型碳化硅功率芯片结构设计工作；
2.负责碳化硅功率芯片性能调控与新构型研究工作；
3.负责开展碳化硅功率芯片关键工艺开发工作；
4.负责宽禁带功率芯片前沿技术追踪工作。
【任职条件】
1.博士研究生学历；
2.精通功率半导体器件仿真建模，具备功率半导体器件设计经验；
3.主导过至少2-3款主流半导体功率芯片全周期流片过程；
4.具有5年及以上功率半导体器件研发相关经验，具有碳化硅MOSFET设计及工艺开发经验或海外研究工作经验者优先；
5.年龄一般不超过45周岁。
【专业要求】
电子科学与技术（微电子学与固体电子学、物理电子学）；集成电路科学与工程（集成电路设计与设计自动化、集成电路制造工程）；物理学（原子与分子物理、凝聚态物理）。