岗位描述
岗位职责
一、岗位定位
作为射频高功率芯片研发核心技术骨干,主导大功率放大器方向业务,攻克行业重难点,统筹核心项目架构迭代、技术路线规划,搭建高功率产品技术体系,赋能产品性能升级与量产落地,支撑高功率核心产品迭代落地。
岗位要求
一、硬性准入条件
要求电磁场与微波技术、微电子、电路与系统等相关专业博士。
二、核心能力
顶层架构与方案攻坚能力:精通GaN、GaAs、RF-LDMOS等主流高功率芯片工艺,深耕大功率PA、Doherty高效率PA、高功率驱动、功率合成、高效散热匹配等核心技术,具备高功率芯片整体架构设计、方案选型、技术难点预判与攻坚能力,可独立定义产品技术方案、攻克高功率效率、线性度、散热、可靠性等核心行业难题。
技术统筹与迭代引领能力:具备高功率射频产品技术路线规划、技术沉淀、专利布局能力,可统筹多版本产品迭代、关键技术预研,梳理标准化高功率研发技术体系,同时承接重点项目技术评审、方案把关,规避核心技术风险。
三、综合素质。
技术视野开阔、逻辑思维缜密,具备极强的问题攻坚与复盘迭代能力;责任心极强、抗压能力突出,具备优秀的技术统筹、跨部门协同、技术输出能力,思维前瞻性强,可长期深耕高端高功率射频芯片研发领域。