岗位描述
职位描述
[工作职责]
1、工艺平台开发与协同整合
1.1 参与BCD类工艺平台的工艺开发与导入,负责器件结构与工艺流程的协同设计,特别是高压LDMOS、B]、JFET等功率器件相关工艺模块的定义、优化与工艺流程整合。
1.2 深度参与新工艺评估与DOE(实验设计)验证,识别工艺窗口、设计规则与器件性能之间的耦合关系,确保工艺方案在良率、可靠性与可制造性之间取得平衡。
1.3 协同Foundry FAB资源,推动工艺平台研发的实施与进展,管理流片进度;
1.4 建立和维护COT Process Flow,编写流片规范,及时将验证通过的工艺优化更新到Flow中
2、工艺窗口和可量产性的表征
2.1 制定并执行工艺DOE方案,系统评估关键工艺参数(如注入剂量、薄膜厚度、退火条件、刻蚀偏差等)对器件电学特性的影响,建立工艺-器件性能的统计关联。
2.2 编写详细的工艺评估报告与DOE分析报告,为内部工艺整合、可靠性评估与项目决策提供数据支撑。
2.3 负责WAT程序建立与维护,完成WAT数据整理和分析,确定Fail Model并制定改善措施
3、良率提升与可靠性保障
3.1 配合可靠性团队完成HCI/NB11/TDDB等可靠性机理在新工艺平台中的表征、预测与改善,理解FMEA/CP在工艺开发中的作用,跟进中等复杂度的工艺开发项目。
3.2 参与CP/FT良率提升,分析电性数据与良率相关性,推动Foundry进行工艺改善
4、跨部门协同与知识沉淀
4.1 与器件设计、PDK开发、量产工艺、质量与封装团队紧密协作,推动工艺方案在新产品导入各阶段的顺利落
4.2 建立并维护工艺技术文档体系,包括工艺流程说明、DE报告、良率分析报告等,促进团队内部技术沉淀与跨部门高效沟通。
任职条件
【任职资格】
1、学历要求:硕士及以上
2、专业要求:微电子学、物理学、材料科学、电子工程、集成电路等相关专业
【专业知识要求]
1、熟悉半导体器件物理与CMOS/BCD工艺原理
2、了解PN结、氧化、掺杂等基础半导体物理概念
3、理解CMOS/DMOS的基本工作原理,掌握阈值电压、短沟道效应、迁移率等核心参数与工艺的关联
4、熟悉FAB制造工艺流程(光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散、离子注入、CMP等)
【加分项】
1、有FAB实习/项目经历,熟悉APQP/FMEA/SPC等流程
2、有LDMOS/BCD功率器件工艺相关研究或项目经验
3、有TCAD仿真、工艺DOE或良率提升相关论文/竞赛/项目产出