GaN研发工程师

岗位职责
1. 负责GaN器件结构设计、版图绘制及工艺流片方案制定，确保器件性能达到既定技术指标。
2. 主导器件电参数（如阈值电压、击穿电压、导通电阻等）的测试与数据分析，完成可靠性评估实验。
3. 协同工艺团队优化关键制程步骤，跟进流片进度，解决生产过程中的技术问题。
4. 输出完整的设计报告与测试文档，参与跨部门项目评审，推动产品从研发到量产的转化。
5. 跟踪行业前沿技术动态，提出器件结构或流程改进方案，提升产品性能与良率。

任职要求
1. 硕士及以上学历，微电子、电子科学与技术、半导体物理等相关专业。
2. 熟悉HEMT等常见结构，精通TCAD仿真工具（如Silvaco、Sentaurus）及版图设计软件（如L-Edit、Cadence）。。
3. 熟悉器件电学测试方法及失效分析手段，具备独立解决实验问题的能力。

工作地点
中国,重庆,重庆市