器件设计工程师

岗位职责
1. 产品定义与架构设计
• 与产品经理，产品市场，应用团队合作参与新产品定义，依据目标应用场景（如开关电源、新能源汽车、光伏、电机驱动等）明确 MOSFET 的关键电气参数（如Rdson, Qg, Qrr, SOA 及热阻等）。
• 针对目标参数进行功率 MOSFET 开发规划（如基于现有代次开发或者预研新代次开发，器件结构定义，版图局部定义）。
2. 器件仿真与版图设计（TCAD & Layout）
• 使用 TCAD 仿真工具（如 Sentaurus/Tsuprem4）对器件结构（PN结、沟槽、漂移区掺杂、终端结构等）进行器件仿真，优化元胞（Cell）与终端（Termination）设计。
• 使用 TCAD 仿真工具mix-mode进行电路仿真，预判器件开关损耗/电压尖峰，反向恢复损耗/电压尖峰，大电流关断雪崩能力等。
• 负责版图设计及DRC检查，确保版图谁家符合 design rule。
3. 工艺流片与试验片（DOE）跟进分析
• 与工艺研发/TD（Technology Development）团队协作，制定掩模版（Mask）规格与工艺流程（Process Flow)，设计流片 DOE 方案。
• 跟进 Fab 厂流片进度，对CP数据进行分析与评估。
4. 器件测试、验证与失效分析
• 配合测试与应用工程师，对样品进行静态、动态（如开关特性、反向恢复）及可靠性（UIS雪崩、短路抗力、SOA）测试评估。
• 对流片异常或客户端失效样品进行物理与电学 FA（Failure Analysis），定位失效机制（如热击穿、栅氧击穿等）并提出改良方案。

任职要求
1. 学历与专业背景
• 学历：硕士及以上学历为主（特别优秀者可以放宽至本科）。
• 专业：微电子学与固体电子学、集成电路工程、半导体器件、电子科学与技术等相关专业。
2. 核心专业技能
• 理论基础：精通半导体物理、功率器件物理及 MOSFET 结构与工作原理。
• 软件能力：熟练掌握 TCAD 仿真工具（Sentaurus / Tsuprem4）、版图设计软件（Cadence Virtuoso / KLayout）。
• 工艺理解：熟悉 MOSFET 制造工艺流程（光刻、注入、氧化、薄膜、刻蚀及 Trench 形成等），了解国内 IDM 厂或 Foundry 厂（如华虹、中芯等）的工艺平台。
3. 加分项
• 具备成功量产SGT-MOSFET、Trench MOSFET的项目实施经验。
• 熟悉半导体封装及其对寄生参数、散热性能的影响。
• 具备车规级功率MOSFET开发经验。

工作地点
中国,重庆,重庆市