岗位描述
岗位职责
1.工艺平台开发与技术路线规划
· 主导新一代功率器件(如SGT MOSFET、超结MOSFET、IGBT、GaN等)工艺平台的器件结构设计与工艺流程集成开发。
· 依据公司技术路线图,制定团队研发计划,分配资源并管理项目进度。
· 主导工艺模块(光刻、刻蚀、注入、薄膜等)的整合与优化,确保工艺流程的先进性与稳定性。
2.工程批流片与电性验证
· 主导工程批流片方案制定、在线参数调试与电性数据分析。
· 带领团队攻关研发过程中的技术难题(如击穿电压不足、导通电阻偏高、可靠性失效等),确保平台性能达标。
· 负责器件可靠性的前期验证(HTRB、HTGB、UIS等),确保满足可靠性要求。
3.技术移交与量产支持
· 主导新工艺平台向Fab PIE的技术移交,确保移交过程顺畅。
· 在移交初期提供技术支持,协助解决导入量产过程中的工艺异常。
4.团队建设与管理
· 负责工艺集成团队的搭建、人才培养与绩效考核。
· 建立团队技术规范与标准,组织内部培训与知识分享。
· 营造技术创新与持续改善的团队文化。
5.跨部门协作
· 与产品线PE紧密协作,提供技术可行性评估与设计规则支持。
· 与Fab PIE、质量、可靠性等部门协作,确保新产品顺利导入。
· 参与客户技术沟通,提供专业解决方案。
6.知识产权与持续改进
· 布局关键技术专利,构建知识产权壁垒。
· 持续追踪行业技术动态(如IEEE、ISPSD、CSPSD等),推动平台迭代升级。
任职要求
1.教育背景
· 本科及以上学历,微电子、半导体物理、材料、电子工程等相关专业。
2.工作经验
· 七年以上半导体行业工艺整合/工艺开发经验。
· 3年以上团队管理经验。
· 有功率器件(MOSFET/IGBT)或宽禁带(SiC/GaN)完整平台开发并成功导入量产的经验者优先。
3.专业技能
· 深入理解MOSFET/IGBT器件物理与工艺原理。
· 熟悉产线关键工艺模块及在线参数(CD、膜厚、掺杂等)对器件电性的影响。
· 掌握DOE、SPC、FMEA等质量工具。
· 熟悉车规级可靠性认证标准(AEC-Q101)者优先。
工作地点
中国,重庆,重庆市