GaN外延研发工程师

岗位职责
1.开发基于AlGaN/GaN的异质结构在大直径衬底（如200毫米硅衬底）上的 MOCVD 生长工艺，负责MOCVD机台的外延片生长任务，工艺参数调试、数据收集与分析。
2.外延结构与表征分析（如X射线衍射、光致发光、霍尔效应测量、原子力显微镜、透射电子显微镜及二次离子质谱），并将这些材料特性与生长参数相关联，持续优化工艺流程。
3.新结构、新工艺的研发与转量产工作，解决量产中的技术问题，并制定工艺标准、SOP（标准作业程序）及作业指导书。
4.对产品异常进行根本原因分析，实施制造流程优化，并通过数据监控持续改进良率。
5.配合器件团队完成工艺匹配与异常改善，确保器件性能。
6.关键研究成果或新思路转化为知识产权。

任职要求
1.微电子、半导体材料、材料物理与化学或相关专业，硕士及以上学历。
2.具备MOCVD 进行氮化镓材料外延生长的实践操作经验。
3.具备外延生长及相关表征技术的深厚背景。
4.具备半导体技术、晶体学和器件物理学的基础知识，尤其在氮化镓/AlGaN器件方面。
5.具备良好的英语（口语和书面）基础。

工作地点
中国,重庆,重庆市