锦鲤求职

三安光电

GaN器件研发工程师(博士)

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岗位描述

岗位职责
1. 新型氮化镓功率器件设计,器件结构仿真与应用:
a.持续提升产品比导通电阻,降低成本的同时确保器件可靠性与稳定性;
b.特殊器件结构设计,Silvaco/Sentaurus器件仿真,结合实际工艺情况,优化版图设计;
c.客户需求设计资料维护(设计规范及参考设计)。
2. 氮化镓功率器件电学特性测试,可靠性与寿命评估。
a. GaN功率器件电性(含Datasheet量测)和测试报告、技术说贴的整理;
b. 产线器件电性异常处理分析;
c. 可靠性测试数据收集整理 (包含器件寿命测试与评估)。
3. 全氮化镓集成电路设计与仿真,驱动、保护模块验证:
a. GaN全集成功率平台搭建,驱动、保护模块电路设计;
b. SPICE 模型建立;基础电路模型仿真;
c. 流片完成后,IC电路实际应用演示。
4.竞品逆向分析, 项目/知识产权:
a. 友商竞品及专利地图分析;
b. 厂内特殊设计专利申请。
5.客户产品的产出和特性,异常复现与处理;
a. 与厂内其他部门沟通,确保客户产品顺利出货;
b. 客户代工产品反馈异常后,复现与根因找寻。

岗位要求
1.硕士研究生及以上学历,电子或微电子及相关专业、电气及自动化及相关专业;
2.经验要求:器件仿真和版图设计,器件模型提参及建立经验;集成电路设计经验;功率器件测试与应用相关经验;功率器件可靠度经验;其中GaN器件相关经验者优先。

半导体/芯片方向的申请准备

先核对岗位要求与自己的经历,再准备档案、投递和面试。

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