岗位描述
岗位职责
1. 负责SiGe/GaAs工艺2.4G/5G/6G WiFi FEM芯片电路与版图设计,完成PA、LNA、T/R开关、温补偏置、I2C控制等模块开发,独立完成完整收发链路架构设计与迭代优化。
2. 运用ADS开展大小信号、负载牵引、Momentum EM仿真,熟练使用HFSS完成关键无源结构、封装寄生、电磁耦合仿真优化,同步开展蒙特卡洛工艺、温度、电压裕量分析,保障芯片量产稳定性。
3. 全程跟进流片Tapeout、晶圆CP及成品FT调试,精准定位并解决EVM恶化、PAE偏低、接收噪声、电路自激、高低温温漂、良率异常等核心技术问题。
4. 负责芯片技术文档输出,编写规格书、测试方案、技术补充协议及客户应用笔记,协同测试、封装、FAE团队完成产品落地、客户适配及量产导入工作。
岗位要求
1. 3年及以上射频IC设计实战经验,具备完整WiFi FEM流片、调试及量产全流程经验,精通SiGe BiCMOS工艺、有独立PA设计项目经验者优先。
2. 熟练使用ADS(电路/版图/Momentum)、HFSS电磁仿真工具,深入掌握SiGe/GaAs HBT器件特性,精通负载牵引匹配、电路稳定性、非线性优化设计。
3. 熟练掌握WiFi主流协议(802.11b/g/n/ac/ax/be),熟悉各频段、带宽、高阶调制模式下的射频指标要求,可独立完成整套WiFi FEM收发链路设计与性能调试。
4. 熟练使用Calibre完成DRC/LVS版图验证,深刻理解QFN、FC封装寄生对射频性能的影响,具备对应的仿真补偿与优化能力。
5. 硕士学历,微电子、射频微波、电子信息等相关专业;具备GaAs大功率AP FEM开发、WiFi7高频链路设计经验者优先。