GaN功率器件设计工程师(J11492)

职位描述
1. 参与GaN功率器件路线选择与技术规划

1. 结合不同产品需求，参与GaN器件技术路线及合封GaN产品路线的规划与定义

2. 深入跟踪行业及合作供应链的GaN技术路线及平台规划路标

3. 调研产学届GaN 器件前沿技术趋势

2. 主导GaN器件方案设计与定义

1. 负责GaN 功率器件的结构设计与参数定义

2. 负责GaN器件的TCAD结构&Layout仿真、及器件参数优化

3. 基于集成方案的GaN结构设计、工艺、外延等IP及方案布局

3. 参与GaN功率工艺平台选择和评估

1. 持续跟踪国内外主流晶圆代工厂的 GaN 工艺平台能力，评估工艺成熟度、良率、成本及可扩展性

2. 参与工艺&外延参数的定义与优化，配合Fab工艺团队完成器件性能与工艺兼容性的验证

4. 器件迭代和验证

1. 配合测试及应用工程师，针对器件做测试验证数据分析，并进行方案迭代优化

2. 配合可靠性工程师，针对器件可靠性失效及退化机理深入分析，并金地方案迭代优化

任职条件
1. 学历要求：硕士及以上，博士优先，宽禁带半导体物理、微电子、集成电路科学与工程等相关专业

2. 工作经验：

1. 5年以上GaN功率器件设计及工艺开发经验

2. 有完整GaN流片并成功转规模量产经验者优先

3. 有完整参与GaN新平台开发设计经验者优先

3. 技能需求：

1. 深入理解GaN宽禁带半导体材料及器件特性

2. 熟悉GaN外延及工艺原理

3. 精通相关仿真及设计工具，含TCAD、candence、Layout设计、互联寄生提取等

4. 其他：强跨部门协同、良好的沟通能力，较强的问题分析与解决能力，能独立推进项目