GaN封装设计工程师(J11489)

职位描述
1. 负责集成宽禁带功率半导体器件（e.g. GaN+IC等）封装路线定义、行业路线跟踪，包含FCLGA/QFN/TOxx等多芯片封装的多芯片功率封装

2. 负责集成宽禁带功率半导体器件（e.g. GaN+IC等）的封装设计开发平台建设，包含仿真设计平台、寄生/热/应力评估标准、DRC标准等

3. 主导GaN功率器件及集成合封产品的封装结构设计，包含布局设计、互联寄生提取、应力及热等提前

4. 主导GaN功率器件及集成合封产品的封装工艺专项优化，包含方案规划、BOM选型、工艺参数优化及验证

5. 参与GaN功率器件及集成合封产品的成本评估和迭代优化，并负责集成合封产品前沿封装方案预研

6. 参与封装可靠性评估，协助可靠性团队，针对封装可靠性评估方案、失效模式进行根因分析及方案优化

任职条件
1. 学历与专业：本科及以上学历，微电子、材料科学与工程、机械工程、电子封装等相关专业

2. 工作经验：

1. 5 年以上功率或多芯片合封封装设计及开发经验，有主导的量产案例

2. 精通FCLGA/FCQFN/MIS/PLP/SIP等封装优先

3. 精通GaN 或 GaN合封芯片封装设计或工艺优先

3. 技能需求：

1. 熟练使用封装设计 EDA 工具（e.g. Cadence SiP Layout、Allegro、AutoCAD 等）

2. 熟练使用至少一种热 / 应力/寄生仿真工具（ANSYS Icepak/Mechanical、ABAQUS、COMSOL 等）

3. 精通多种功率芯片或SIP封装工艺和BOM特性

4. 其他：强跨部门协同、良好的沟通能力，较强的问题分析与解决能力，能独立推进项目