锦鲤求职岗位描述
职位描述
一、GaN功率器件路线选择与技术规划
1. 结合不同产品需求，参与GaN器件技术路线及合封GaN产品路线的规划与定义
2. 深入跟踪行业及合作供应链的GaN技术路线及平台规划路标
3. 调研产学届GaN 器件前沿技术趋势
二、GaN器件方案设计与定义
1. 负责GaN 功率器件的结构设计与参数定义
2. 负责GaN器件的TCAD结构&Layout仿真、及器件参数优化
3. 基于集成方案的GaN结构、工艺、外延等IP及方案布局
三、参与GaN功率工艺平台选择和评估
1. 持续跟踪国内外主流晶圆代工厂的 GaN 工艺平台能力，评估工艺成熟度、良率、成本及可扩展性
2. 参与工艺&外延参数的定义与优化，配合Fab工艺团队完成器件性能与工艺兼容性的验证
四、器件迭代和验证
1. 配合测试及应用工程师，针对器件做测试验证数据分析，并进行方案迭代优化
2. 配合可靠性工程师，针对器件可靠性失效及退化机理深入分析，并金地方案迭代优化
任职条件
一、基本要求
1.硕士及以上，博士优先
2.宽禁带半导体物理、微电子、集成电路科学与工程、电力电子等
二、专业技能
1.半导体物理及器件基础
2. 了解GaN器件结构、器件的退化机理、工艺及外延结构
3. 设计及仿真：熟悉TCAD、Layout设计、后道寄生提前等仿真设计
4. 有深度参与过GaN 功率器件相关的校企合作项目，有流片经验者优先