后道工程师（减薄&电镀）

岗位职责
1. 晶圆减薄与抛光工艺开发：负责InP晶圆背面研磨减薄、CMP化学机械抛光工艺开发、工艺验证、研发转量产；将InP晶圆从原生625μm减至100~150μm，管控晶圆翘曲、厚度均匀性、表面损伤、抛光粗糙度。
2. 背面电镀工艺开发：负责InP晶圆背面金属电镀工艺开发、配方调试与量产维护；激光器背面电极金属层（Au厚金电镀），管控电镀厚度、均匀性、应力、附着力、空洞、针孔。
3. 量产工艺维护：持续监控晶圆总厚度偏差TTV、表面粗糙度、金属膜厚、方块电阻、膜层附着力；改善崩边、研磨划痕、抛光麻点、电镀气泡、起皮、晶粒不均等缺陷，提升芯片良率与器件散热可靠性。
4. 耗材与物料评估导入：研磨液、抛光液、研磨垫、电镀液、阳极、掩膜胶带等耗材评估；优化工艺参数，降低耗材成本，提升单片产能。
5. 产线异常失效分析：针对晶圆崩边、背面划痕、TTV超标、电镀起皮、金属空洞、晶圆翘曲开裂等不良定位根因，开展失效分析，输出8D报告，制定临时及永久改善对策。
6. 工艺文档与设备协同：编写、更新减薄/CMP/电镀SOP、工艺规范；参与减薄机、CMP抛光机、电镀设备验收，协同设备工程师完成PM保养、故障排查。
7. 实验与数据分析：开展DOE实验，优化研磨压力、转速、抛光液流量、电镀电流密度、温度、pH等参数；使用SPC监控关键工艺参数，评估Cpk，持续工艺优化。
8. 跨工段协同：对接金属化、湿法清洗、晶圆测试团队；解决晶圆应力、清洗残留、电镀与蒸镀金属层界面匹配问题；理解减薄厚度、背面金属质量对DFB激光器散热、热阻、长期可靠性的影响。
9. 化学品与安全管理：管控研磨液、抛光液、电镀药液，落实危化品存储、废液处理、洁净车间、ESD安全规范。

岗位要求
1. 学历：本科及以上，微电子、半导体物理、材料、光电子、化学工程等相关专业。
2. 资深岗：3年及以上化合物半导体晶圆减薄、CMP或晶圆电镀工艺经验；有InP/GaAs光芯片背面减薄+厚金电镀量产经验优先。
3. 初级岗：1~3年半导体减薄/电镀工艺经验；硅基减薄电镀背景可培养，需学习InP材质脆、极易翘曲、易碎裂的材料特性。

专业技能
1. 掌握晶圆背面减薄、研磨、CMP抛光原理；熟悉脆性III-V晶圆加工难点，掌握TTV、表面粗糙度、亚表面损伤管控方法。
2. 熟悉晶圆电镀原理，厚金电镀工艺；掌握电镀电流密度、药液温度、pH、搅拌等参数对金层晶粒、应力、附着力的影响。
3. 熟练使用测厚仪、台阶仪、光学显微镜、SEM、四探针电阻仪进行检测；识别划痕、崩边、电镀空洞、起皮等缺陷。
4. 掌握DOE、SPC统计工具，独立设计实验，数据分析，撰写工艺报告。
5. 理解上下游工序：晶圆正面金属完成后，清洗、保护、背面减薄抛光、电镀的整套流程，掌握临时保护胶、胶带工艺要点。
加分项
1. 4英寸InP/GaAs光芯片产线经验，DFB激光器背面减薄+厚金电镀量产爬坡经验。
2. 熟悉Disco减薄机、InP专用CMP设备、半导体晶圆电镀设备。
3. 熟悉半导体保护胶、临时键合工艺，解决薄InP晶圆翘曲碎片问题。
4. 英文阅读能力，可查阅设备手册、电镀药液MSDS、工艺文献。
5. 主导过晶圆碎片率降低、电镀良率提升专项项目。