镀膜工程师

岗位职责
1. 介质薄膜工艺：负责InP晶圆PECVD SiO₂/Si₃N₄钝化膜、硬掩模；ALD高保形钝化薄膜的工艺开发、验证、研发转量产，管控膜厚、折射率、薄膜应力、均匀性。
2. 金属镀膜工艺：负责电子束蒸发(E-gun)、磁控溅射金属层工艺开发与量产维护；Ti/Pt/Au、AuGe/Ni/Au等InP激光器欧姆接触金属沉积，管控金属膜厚、方块电阻、台阶覆盖、颗粒、金属剥离效果。
3. 快速热退火RTP工艺：负责金属欧姆接触RTP快速热退火工艺开发；优化退火温度、升温速率、保温时间、保护气氛；控制合金界面，降低接触电阻，防止InP基底高温分解、表面形貌劣化。
4. 腔面镀膜工艺：负责DFB激光器解理腔面电子束蒸镀AR减反膜、HR高反膜；膜系验证，管控反射率、膜厚均匀性，保障激光器阈值、光功率特性。
5. 量产工艺稳定维护：持续监控膜厚、方块电阻、应力、接触电阻、反射率等关键参数；改善膜层开裂、脱落、针孔、金属剥离不良、合金不均、颗粒污染等缺陷，提升良率与器件长期可靠性。
6. 新材料/新靶材/特种气体评估导入：金属靶材、介质前驱体、镀膜耗材评估；优化工艺参数，降低耗材成本，提升机台产能。
7. 产线异常失效分析：针对膜厚漂移、金属层剥离、RTP退火后接触电阻超标、腔面反射率偏移、膜层应力开裂等问题定位根因，输出8D报告，制定临时与永久改善对策。
8. 工艺文档与设备协同：编写、更新镀膜与RTP退火SOP、工艺规范；参与PECVD、ALD、电子束蒸发、磁控溅射、RTP设备验收，协同设备工程师完成PM维护、故障排查。
9. DOE实验设计，优化功率、压力、温度、气体流量、蒸发/溅射速率、退火曲线等参数；SPC监控关键工艺参数，开展Cpk评估，持续工艺改善。
10. 跨工段协同：对接光刻、刻蚀、湿法、晶圆测试团队，解决金属台阶覆盖、剥离工艺匹配、退火对InP材料损伤等跨工序问题；理解金属膜、退火工艺对DFB激光器阈值电流、可靠性的影响。
11. 真空系统、靶材、特种气体安全管理；落实洁净区、ESD、化学品安全规范。

岗位要求
1.学历：本科及以上，微电子、半导体物理、材料、光电子、光学工程等相关专业。
2. 资深岗：3年及以上化合物半导体薄膜/金属镀膜+RTP退火工艺经验；有InP DFB光芯片金属蒸发、欧姆接触退火量产经验优先。
3. 初级岗：1~3年半导体薄膜工艺经验；硅基PECVD/金属溅射经验可培养，需学习InP材料高温易分解、欧姆接触工艺窗口窄的特性。

专业技能
1. 掌握薄膜沉积原理：PECVD、ALD、电子束蒸发、磁控溅射；熟悉金属薄膜、介质薄膜的膜厚、方块电阻、应力、均匀性、台阶覆盖等指标管控。
2. 精通III-V族金属欧姆接触工艺：AuGe/Ni/Au、Ti/Pt/Au金属体系，理解RTP快速热退火合金机理；掌握退火温度曲线对接触电阻、InP基底的影响。
3. 熟悉DFB腔面AR/HR膜系原理，了解反射率对激光器光电性能的影响。
4. 熟练使用台阶仪、四探针电阻仪、光学显微镜、SEM、膜厚仪做膜层形貌与电学表征；识别金属剥离、孔洞、膜层开裂、合金不均匀等各类缺陷。
5. 掌握DOE、SPC统计工具，独立设计实验，数据分析，撰写工艺报告。
6. 理解上下游工序联动：光刻金属剥离、干法/湿法刻蚀后晶圆表面状态对镀膜、退火工艺的影响。
加分项
1. 4英寸InP晶圆产线，DFB/EML光芯片金属蒸发、RTP退火、腔面镀膜量产爬坡经验。
2. 熟悉l电子束蒸发，磁控溅射，RTP设备。
3. 具备薄膜光学仿真、金属合金界面分析能力。
4. 英文阅读能力，可查阅设备手册、靶材、薄膜工艺外文文献。
5. 主导过金属接触电阻优化、膜层良率提升专项项目。