湿法刻蚀工程师

岗位职责
1. 负责InP DFB芯片湿法腐蚀工艺开发、配方调试、工艺验证、研发转量产；包含InP、InGaAsP、InGaAs、SiO₂/Si₃N₄等材料选择性湿法腐蚀，干法刻蚀后聚合物残渣去除工艺开发。
2. 量产工艺维护：监控腐蚀速率、选择比、形貌均匀性、表面粗糙度，稳定工艺窗口；持续降低表面缺陷、针孔、坑点、侧向钻蚀等不良，提升芯片良率与器件可靠性。
3. 湿法化学品、药液体系、清洗方案评估导入；管理药液更换周期、药液浓度监控，研究药液老化对腐蚀形貌的影响，降低耗材成本。
4. 产线异常处理：快速定位湿法相关失效（表面腐蚀坑、过腐蚀、钻蚀、残留、表面污染），开展失效分析，输出8D报告、临时对策与永久改善方案。
5. 编写、更新湿法工艺SOP、工艺规范、化学品安全作业指导书；制定湿法台日常点检、维护标准。
6. 对接上游光刻、干法刻蚀，下游金属化、晶圆测试工段，协同解决跨工序工艺匹配问题；理解湿法工艺对DFB光栅、脊波导形貌、器件阈值电流的影响。
7. 开展DOE实验设计，优化腐蚀温度、浸泡时间、药液配比、搅拌、喷淋参数；使用SPC对关键工艺参数做稳定性监控，评估Cpk。
8. 湿法设备（全自动湿法腐蚀台、清洗槽）工艺验收、PM维护协同；联动设备工程师解决槽体、喷淋、温控、过滤系统故障。
9. 化学品安全管理：管控强酸、卤素类腐蚀药液，落实危化品存储、废液处理、洁净区安全、ESD规范，组织工艺安全风险评估。

岗位要求
1.学历：本科及以上，微电子、半导体物理、材料、光电子、光学工程等相关专业。
2. 资深岗：3年及以上III-V族化合物半导体湿法腐蚀/湿法清洗工艺经验；有InP DFB激光器湿法工艺经验优先。
3. 初级岗：1~3年半导体湿法工艺经验，硅基湿法背景可培养，需学习InP材料腐蚀特性（InP极易发生非选择性腐蚀，工艺窗口窄）。

专业技能
1. 掌握III-V族材料湿法腐蚀原理，熟悉InP、InGaAsP选择性腐蚀体系，理解选择比、侧向腐蚀、表面粗糙度控制要点。
2. 熟练使用台阶仪、光学显微镜、AFM、SEM做腐蚀形貌表征，能识别各类湿法缺陷。
3. 会DOE、SPC统计工具，独立设计实验，数据分析，撰写工艺报告。
4. 了解湿法腐蚀与干法ICP刻蚀的联动工艺：干法刻蚀后的残渣去除，控制InP表面损伤。
加分项
1. 4英寸InP晶圆产线经验，DFB/EML光芯片湿法工艺开发量产经验。
2. 熟悉全自动湿法腐蚀台、兆声波清洗、化学品输送系统。
3. 熟悉危化品、半导体废液处理相关规范。
4. 英文阅读能力，可查阅化学品MSDS、外文工艺文献。