黄光工程师

岗位职责
1. 负责InP DFB光芯片黄光光刻工艺开发、工艺验证、工艺转移（研发→试产→量产），包含光栅层、脊波导、电极窗口光刻工艺
2. 光刻工艺维护：监控产线CD、套刻精度，稳定工艺窗口，持续提升良率，降低缺陷
3. 新工艺/新材料导入：新光刻胶、新曝光设备评估，EBL/全息光刻光栅工艺开发验证
4. 工艺SOP编写、更新，洁净区制程参数管控，工艺异常处理（产线光刻不良停机处理）
5. 配合设备工程师完成光刻机、涂胶显影机的PM维护、故障排查；参与设备验收
6. 完成实验记录、数据汇总，输出工艺报告，做DOE、Cpk统计分析
7. 落实车间ESD、化学品、洁净安全管理
加分项（优先录用）
1. 有磷化铟DFB激光器、EML光芯片光栅光刻开发经验，懂全息光刻或者EBL电子束光刻工艺
2. 熟悉化合物半导体4英寸InP晶圆产线，了解MOCVD、ICP刻蚀等上下游工序
3. 熟悉半导体仿真软件（光刻仿真、光学仿真），了解DFB光栅设计原理
4. 具备英文文献阅读能力，可阅读设备手册、光刻胶技术文档
5. 有产线量产爬坡经验，主导过光芯片良率提升项目

岗位要求
1.学历：本科及以上学历，半導體物理,材料,光學工程等相關專業
2.工作經驗：资深岗：3年及以上化合物半导体（InP/GaAs）光刻/黄光制程经验；有DFB激光器光栅工艺开发优先
- 初级岗：1~3年半导体黄光经验，硅光刻背景可培养，但需了解化合物半导体特性
 其他：熟悉洁净车间操作；具备DOE实验设计、良率分析能力；
专业技能要求（核心）
1. 光刻工艺理解
- 掌握光刻全流程：晶圆预处理、涂胶、软烘、曝光、显影、硬烘、去胶、图形转移；熟悉正胶/负胶在InP晶圆上的工艺特点
- 熟悉多种曝光设备：接触式光刻机、化合物专用Stepper；
-（加分）了解EBL电子束直写、全息光栅光刻原理（DFB光栅制备核心）
- 掌握关键光刻指标管控：线宽CD、套刻精度、图形均匀性、侧壁轮廓、残留胶、针孔、崩边等缺陷分析
2. 材料与工艺特性
- 理解磷化铟（InP）晶圆特性：晶圆翘曲、材料易腐蚀，光刻胶、烘烤、显影工艺窗口窄；光刻后衔接ICP/RIE刻蚀工艺匹配
- 熟悉光刻胶类型，了解光栅薄层胶、厚胶工艺差异；掌握光刻工艺对后续DFB光栅周期、波导形貌的影响
3. 设备与量测
- 熟悉涂胶显影机、光刻机操作与日常维护；熟悉CD-SEM、光学显微镜、台阶仪等量测设备
- 能独立做DOE实验，优化曝光能量、焦距、烘烤温度、显影时间等工艺参数
4. 失效&良率分析
- 能够定位黄光相关缺陷：图形畸变、CD偏移、套刻偏差、气泡、颗粒、底切、残留；输出8D/改善报告
- 联动上游外延、下游刻蚀/金属化，跨工段解决DFB芯片良率问题