锦鲤求职岗位描述
岗位职责
1、负责薄膜、介质、金属、硅基材料干法刻蚀工艺开发、参数调试与量产维护，掌握感应耦合/电容耦合刻蚀机台常规工艺；或负责晶圆/玻璃基板湿法刻蚀、清洗、去胶、剥离工艺的开发、调试与量产维护，管控整套湿法制程良率与稳定性；
2、负责优化刻蚀关键参数，管控刻蚀速率、均匀性、选择比、垂直度、底切、粗糙度等核心指标；或优化药液配比、浸泡时间、温度、喷淋流量、传输速度等参数，管控刻蚀速率、均匀性、选择比、表面粗糙度、良率等关键指标；
3、负责工艺异常分析与改善，解决刻蚀不全、过刻、残留、侧蚀、微沟槽、颗粒、台面异常等缺陷；或解决刻蚀不均、残留、过刻、表面水痕、颗粒、氧化污染、剥离不干净等常见缺陷，持续提升良率与制程稳定性；
4、负责配合光刻、薄膜、量测等团队完成新产品、新工艺导入，通过DOE实验验证工艺窗口，固化最优工艺Recipe；
5、负责日常监控机台状态、腔体洁净度、耗材寿命，执行PM保养、腔体清洗、复机验证，编写SOP、工艺报告与变更文档；或负责药液更换、槽体维护、耗材管控、产线日常点检，编写SOP、工艺报告、异常改善报告与工艺变更资料。
岗位要求
1、 硕士及以上，微电子、光学工程、材料、物理、半导体、应用物理、化工等相关专业；
2、 熟悉干法刻蚀基本原理，了解RIE、ICP刻蚀工艺及常见工艺气体体系；或熟悉湿法刻蚀、光刻胶剥离、酸碱清洗工艺原理，了解常见刻蚀药液体系与材料腐蚀特性，悉半导体/微纳光学洁净室作业规范，了解薄膜沉积、光刻、刻蚀配套工艺流程；
3、 具备独立工艺调试、数据分析、异常根因分析及良率提升能力；有干法或湿法刻蚀设备实操经验者优先；做事严谨细致，具备良好的执行力、数据复盘能力与跨部门协作能力；
4、 CET-6；能阅读英文技术文档及设备手册。
5、 逻辑清晰、执行力强，可适配研发迭代及量产稳定需求；做事严谨细致，具备良好的执行力、数据复盘能力与跨部门协作能力；
6、 有半导体厂或微纳加工平台刻蚀工艺实习/课题/项目经历；熟悉DOE实验设计与统计分析；了解SEM、台阶仪、椭圆偏光仪等量测设备的使用与数据分析。