TD-PIE工程师(27校招)

岗位职责
1、参与GaN HEMT外延开发、器件设计、工艺整合开发流片、可靠性鉴定、良率提升的全流程工作。
2、定位拆解GaN HEMT器件漏电、阈值漂移、Idq退化等核心问题，优化外延和工艺，不断提升器件性能与可靠性。
3、批量分析电性数据，可通过大样本数据完成工艺波动分析、器件特性统计，支撑工艺窗口收敛与器件性能迭代。

岗位要求
1、硕士及以上学历，集成电路、电子科学与技术、微电子等相关专业；
2、逻辑思维强，沟通表达优秀；
3、具备良好的团队协作能力。