岗位描述
岗位职责
1 研究半导体物理原理,结合市场需求和技术发展趋势,提出创新性的器件设计方案;
2 主导开发公司GaN HEMT射频器件技术平台,实现性能迭代;
3 解决项目开发过程中的技术难题,对产品性能进行持续改进;确保器件性能如单管功率密度、漏极效率、增益等指标达到行业领先水平;
4 与跨部门团队紧密合作,优化工艺路线,推动产品Fab量产导入;
5 提供技术支持,确保生产过程中器件的性能和质量稳定;
6 收集国内外最新的技术资料和行业信息,为公司的技术决策提供参考;
岗位要求
1、熟悉半导体器件物理、半导体工艺等专业知识;
2、熟练掌握半导体器件设计软件和测试设备的使用;
3、熟练掌握GaN射频器件和功率器件原理和半导体工艺原理;
4、具备较强的创新能力和问题解决能力;
5、有良好的团队合作精神和沟通能力;
6、能够承受工作压力,适应快节奏的工作环境。
7、具有硕士10年以上、博士5年以上半导体器件研发经验;
8、主导过GaN HEMT器件平台开发和量产项目经验者优先。