岗位描述
岗位职责
岗位职责 :
1、产线全流程质量策划与过程管控,聚焦 LNOI 铌酸锂薄膜晶圆 Smart Cut 工艺全链路,覆盖铌酸锂原片来料、离子注入、晶圆活化键合、热剥离、薄膜抛光、晶圆清洗、回收衬底再生全工序,识别离子注入剂量偏差、键合空洞、剥离碎片、薄膜厚度均匀性、界面缺陷、翘曲、表面颗粒污染等关键失效模式,建立 CTQ 关键质量特性清单,输出 SIP 检验规范、不良判定标准、巡检作业指导书,落地 IPQC 首件、巡检、异常拦截机制。
2、负责产线质量目标分解与落地,主导良率、碎片率、空洞不良、薄膜厚度 TTV、颗粒水平、批次报废率等 KPI 跟踪,使用 SPC 统计过程控制监控工艺窗口波动,组织良率改善专项,联动工艺、设备、研发团队定位制程根因,推动纠正预防措施 CAPA 闭环,支撑 Smart Cut 工艺从 NPI 工程试产向量产爬坡,稳定 LNOI 晶圆量产良率水平。
3、主导产线质量异常处置,发生批次不良、晶圆碎裂、键合分层、批量污染等质量漂移事件时,组织跨部门 RCA 根因分析,输出 8D 报告;组织 MRB 不合格品评审,严格执行晶圆隔离、标识、处置流程,明确返工、报废、特采判定,防止不良晶圆流转流出产线;管理变更 ECR/ECN,评审工艺、设备、物料变更带来的质量风险,完成变更验证确认后方可上线生产。
4、新品导入 NPI 质量管控,参与 LNOI 不同规格薄膜产品的工艺评审、PFMEA 失效模式分析,识别 Smart Cut 新工艺风险点,设置转产质量阀,跟进工程批次、试产批次质量数据,输出质量评估报告,把质量管控前置到工艺开发阶段。 5、测量与检测体系管理,统筹产线在线量测、离线检测(膜厚、粗糙度、键合界面检测、颗粒检测),推动 MSA 测量系统分析,保证 SEM、光学干涉仪、台阶仪等检测设备校验与数据可靠性;协同失效分析实验室,针对不良晶圆开展 FA 分析,定位缺陷来源。
6、配合来料与客户端质量工作,协同 SQE 对铌酸锂单晶衬底、氧化层材料、化学品、耗材开展质量管控;接收客户反馈、RMA 退回 LNOI 晶圆,组织失效分析,输出客户需要的改善报告,参与客户审厂、第三方体系审核。
7、团队管理、体系落地与质量文化建设,管理产线质量班组,进行工作分配、绩效考核、技能培训;落实 Fab 无尘车间质量相关流程,维护 ISO9001 质量管理体系,组织内部质量培训,提升工艺、生产人员质量意识,推动现场质量持续改善活动。
8、完成上级交办其他质量相关工作。
岗位要求
任职要求 :
1、本科及以上学历,材料科学、微电子、光电物理、半导体、光学材料等理工科专业;硕士优先。
2、5 年以上半导体 / 化合物半导体 / 光电子晶圆 Fab 质量工作经验,至少 2 年制程质量主管 / 高级 PQE 管理经验;有 SOI、LNOI、Smart Cut、晶圆键合、离子注入工艺相关质量管控经验优先;熟悉光芯片晶圆制造产线优先。
3、精通半导体质量工具:SPC、FMEA、MSA、8D、5Why、柏拉图,能够独立主导批次质量事故根因分析与改善闭环;熟悉晶圆制造 IPQC、MRB、NPI 导入流程。
4、理解 Smart Cut 核心工艺逻辑,了解离子注入、晶圆键合、热剥离、抛光清洗工序典型缺陷,能够看懂晶圆良率、缺陷、膜厚均匀性相关测试数据,会使用 Minitab/JMP 做数据分析;了解 SEM、干涉仪等检测设备基本原理。
5、熟悉 ISO9001 半导体制造质量管理体系,有 Fab 无尘车间管理经验,熟悉晶圆物料追溯、批次管控要求。
6、较强跨部门推动能力,能够对齐工艺、设备、研发团队推进质量改善;具备团队管理能力,能带 3 8 人质量小组。 7、英语读写良好,能够阅读英文工艺文档与客户质量规范;能够倒班配合 Fab 产线重大异常处理。
优先加分项
• 有铌酸锂 LNOI、SOI、异质集成衬底制造行业从业经验;
• 接触过光通信调制器用薄膜晶圆产品;
• 六西格玛绿带 / 黑带证书。
岗位核心产出:降低 Smart Cut 工艺碎片、键合空洞、厚度不均等典型缺陷,持续提升 LNOI 晶圆良率,建立完整可落地的产线质量管控流程,保障产品一致性与客户端交付质量。